买卖IC网 >> 产品目录 >> NSV60200LT1G 两极晶体管 - BJT datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

NSV60200LT1G

库存数量：可订货
制造商：ON Semiconductor
描述：两极晶体管 - BJT
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> 两极晶体管 - BJT
描述 两极晶体管 - BJT
NSV60200LT1G PDF下载
制造商 ON Semiconductor
配置
晶体管极性 PNP
集电极—基极电压 VCBO
集电极—发射极最大电压 VCEO - 60 V
发射极 - 基极电压 VEBO - 7 V
集电极—射极饱和电压
最大直流电集电极电流
增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe Min 100 mA
最大工作温度
安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 SOT-23
相关资料
属性
链接
代理商 NSV60200LT1G
NSV60201LT1G
NSV60600MZ4T1G
NSV60601MZ4T1G
NSV60601MZ4T3G
NSV9435T1G
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  • NSV60200LT1G 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价
    1,750 0.398 696.5
    2,000 0.36 720
    3,000 0.36 1080
    5,000 0.336 1680
    10,000 0.324 3240